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        N溝道耗盡型IGBT結(jié)構(gòu)解析與應(yīng)用技巧

        作者:佚名|分類:百科常識(shí)|瀏覽:83|發(fā)布時(shí)間:2024-12-22

        在晶體管的制造過程中,如果預(yù)先設(shè)定一個(gè)初始的導(dǎo)電溝道,那么這種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管就被稱為“耗盡型”,以此與增強(qiáng)型進(jìn)行區(qū)分。圖10-12展示了N溝道耗盡層絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)圖。在生產(chǎn)工藝中,二氧化硅絕緣層被摻雜了大量的正離子,從而在兩個(gè)N+區(qū)之間感應(yīng)出眾多負(fù)電荷,形成了初始的導(dǎo)電溝道。

        盡管從外觀上看,耗盡型與增強(qiáng)型的結(jié)構(gòu)差異不大,但它們?cè)诳刂铺匦苑矫鎱s有著顯著的改進(jìn)。在漏源電壓Vds保持恒定的情況下,當(dāng)柵源電壓Vgs為0時(shí),漏源極間已可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通,此時(shí)流經(jīng)的是初始導(dǎo)電溝道的飽和漏極電流Idss。而當(dāng)Vgs大于0時(shí),N型溝道內(nèi)將感應(yīng)出更多的負(fù)電荷,導(dǎo)致隨著漏源電壓Vds的增加,漏極電流Id也隨之增大。反之,當(dāng)Vgs小于0,即施加反向電壓時(shí),N型溝道會(huì)出現(xiàn)耗盡層(如圖10-13所示),導(dǎo)電溝道隨之縮小;Vgs的負(fù)值越大,導(dǎo)電溝道越小,漏極電流Id也越小。當(dāng)柵源電壓Vgs等于夾斷電壓Vp時(shí),溝道被完全夾斷,此時(shí)漏極電流為0。

        值得注意的是,耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管在正、負(fù)或零柵壓下均能控制漏極電流Id,這一特性使其應(yīng)用范圍更加廣泛。通常情況下,這類管子工作于負(fù)柵壓狀態(tài),此時(shí)需要根據(jù)不同的飽和漏極電流Idss和夾斷電壓(Vp為負(fù)值)來選擇合適的耗盡型管。

        耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和漏極特性分別如圖10-14和圖10-15所示。這些特性的分析對(duì)于理解其工作原理和應(yīng)用具有重要意義。

        N溝道耗盡型IGBT結(jié)構(gòu)解析與應(yīng)用技巧

        (責(zé)任編輯:佚名)

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